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真空环境下使用硅钼棒时注意事项
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真空环境下使用硅钼棒时注意事项

真空环境下使用硅钼棒时,由于缺乏氧气,表面SiO₂保护膜无法生成和修复,因此建议采用间歇通入微量氧气的方式维持保护膜,且连续使用时间不宜过长,使用温度不超过1400℃;真空使用后,必须在空气/氧气气氛中,于1200–1500℃烧结1小时,以重新生成SiO₂保护膜。
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