PECVD系统 增强型化学气相沉积
PECVD系统简介
PECVD系统是为了使传统的化学气象沉积（CVD）反应温度降低，在普通 CVD 装置的前端加入 RF 射频感应装置将反应气体电离，形成等离子体，进而利用等离子体的活性来促进反应，所以这个系统称为增强型化学气相沉积系统（PECVD）。该型号 PECVD 为我公司设计新款，综合了国内大多数厂家的管式 PECVD 系统的点，在 PECVD 前端加入了气体预热区，实验证明此结构沉积速度快，成膜质量好，针孔较少，不易龟裂。
控制部分采用了我公司自主研发的实验电炉全自动智能控制系统，使得操作更加简便，功能更加强大。
PECVD系统主要特点
气体预热——增加前端气体预热区，沉积速度更快，成膜效果更好；
智能控制系统——加热控制、等离子射频控制、气体流量控制、真空系统控制统一集中调节和操控，协调控制；
管内压力自动平衡——管内压力实时监测，自动平衡管内压力。
智能气路通断——每路气体均可定时通断，省时省力；
射频功率和开关定时控制——预先设定好功率的大小和打开与关闭的时间，系统自动运行；
炉膛移动速度可调——根据实验要求，用户可设定炉膛左右移动的速度可距离；
整机结构融为一体——移动方便，避免分散组装的困扰。
技术参数
高真空PECVD设备主要技术参数：
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产品名称 |
高真空PECVD设备 |
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滑轨管式炉部分（可选其他炉型：开启式管式炉） |
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产品型号 |
STR TF1200-S5030-H |
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炉管尺寸 |
Φ50mmX1600mm |
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炉管材质 |
石英管 |
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加热区 |
300mm |
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工作温度 |
1100℃ |
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设计温度 |
1200℃ |
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温控方式 |
K型热电偶 |
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控制方式 |
触屏控制，带立摇臂，可以根据实际使用需求，调节温控屏的角度，使用更方便 |
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控温精度 |
±1℃ |
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温控保护 |
具有超温和断偶保护功能 |
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升温速率 |
0-20ºC/min ，建议10ºC/min |
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加热元件 |
含钼电阻丝 |
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工作电压 |
AC 220V 单相 50HZ （电路电压用户可选择定制） |
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加热功率 |
3KW |
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炉膛材料 |
氧化铝多晶纤维 |
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炉体结构 |
炉体带滑轨，可实现快速升温和降温 |
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法兰接头 |
标配配有两个不锈钢真空法兰，已安装机械压力表和不锈钢截止阀 |
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密封系统 |
该炉炉管与法兰之间采用硅胶O型圈挤压密封、撤卸方便、可重复撤卸，气密性好。 |
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壳体 |
不锈钢壳体 |
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选配 |
辅助降温风扇 |
真空系统部分
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名称 |
真空系统 |
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主要参数 |
1.采用高真空分子泵组，极限真空度可达10-3pa 2.KF25快接，不锈钢波纹管，手动挡板阀与法兰，真空泵相连； 3.数字式真空显示，其测量范围为5×10-5- 1500mbar，测量精度高高 |
混气气路系统部分
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名称 |
四路质量流量计（三、四、五路混气可选） |
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主要参数 |
四通道精密质量流量计：触屏控制，数字显示，自动控制。流量范围流量范围： 1.MFC 1-MFC4：0-1000sccm可调 2.一个混气罐 3.4个不锈钢针阀安装在供气系统的左侧，可手动控制4种气体； 4.进出气口：3进1出 流量控制：手动旋转式调节 连接方式：双卡套连接 |
等离子电源部分
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名称 |
500W等离子电源 |
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功率范围 |
0-500W（连续可调） |
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工作频率 |
13.56MHZ+0.005% |
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工作模式 |
连续输出 |
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射频输出阻抗接口 |
N-type,female（50Ω） |
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功率稳定度 |
≤2W |
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额定反射功率 |
70W |
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电源保护设置 |
DC过流保护，功放过温保护，反射功率保护 |
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供电电压/频率 |
单相交流（187V-253V）50-60HZ |
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冷却方式 |
风冷 |
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整机尺寸 |
88X483X550 MM |
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整机重量 |
13.5KG |
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认证 |
ISO认证、CE认证 |
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售后服务 |
质保一年，终身保修（耗材类：高温密封圈、炉管、加热元件等不属于质保范围） |
PECVD系统等离子体化学气相沉积系统选型
| 项 目 | 推荐选型 | |||||||
| 管式加热炉体 | STR 1200℃真空管式炉 | |||||||
| 炉膛温区 | 单温区管式炉、双温区管式炉、三温区管式炉、滑轨管式炉 | |||||||
| 石英反应炉膛 | 根据需求选择不同直径的石英管作为反应室。有Φ40，Φ60，Φ80，Φ100，Φ120，Φ150等规格可选。 | |||||||
| 真空系统 | 根据需求选择不同真空效果的真空系统。有DZK10-1（极限真空0.1Pa），GZK10-3（极限真空0.001Pa），以及质高真空机组（极限真空0.0001Pa）供选择。 | |||||||
| 质子流量供气系统 | 根据需求选择多路质子流量供气系统。有两路GQ-2Z，三路GQ-2Z，四路GQ-2Z，五路GQ-2Z或更多路供选择。 | |||||||
| 射频等离子源 | 根据需求选择强度不同的射频电源。有DLZ300（300W），DLZ500（500W）或更大功率的射频电源供选择。 | |||||||
| 常见PECVD系统组合 | 1. 1200度60滑轨式微型管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，300W射频电源 | |||||||
| STR G1200-60S-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ300 | ||||||||
| 2. 1200度60滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 | ||||||||
| STR G1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 | ||||||||
| 3. 1200度60双温区滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 | ||||||||
| STR G1200-60II-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 | ||||||||
| 4. 1200度60三温区滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 | ||||||||
| STR G1200-60III-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 | ||||||||
| 5. 1200度60微型预热炉，1200度60滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 | ||||||||
| STR G1200-60S，STR G1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 | ||||||||
