小型PECVD等离子增强化学气相沉积系统是利用辉光放电产生的等离子体中的电子动能去激活气相的化学反应。该系统由STR MTF1200系列真空管式炉、石英反应腔室、射频电源、多通道混气系统、真空机组、反应控制系统组成。

PECVD系统，即等离子体增强化学气相沉积系统，利用射频电源将含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体。等离子体具有很强的化学活性，使得化学反应能够在较低的温度下进行。因此，PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。PECVD系统由管式加热炉体、真空系统、质子流量供气系统、射频等离子源和石英反应腔室等部件组成。

小型PECVD化学气相沉积需要配置等离子发生器。

PECVD系统主要特点包括：

1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。

2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。

3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。

4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。

5、广泛适用于各种薄膜的生长，如SiOx、SiNx、SiOxNy和无定型硅(a-Si:H)等。

在进行PECVD系统选型时，需要考虑不同部件的规格和效果。

例如，高温管式加热炉体可选择1200度φ60滑轨式微型管式炉等不同型号；石英反应腔室可根据需求选择不同直径的石英管作为反应室；真空系统可选择不同真空效果的真空系统，如DZK10-1、GZK10-3及进口高真空机组等；质子流量供气系统可选择多路供气系统，如两路、三路、四路、五路等；射频等离子源可选择不同功率的射频电源，如DLZ300、DLZ500等。

常见PECVD系统组合包括：
1、1200度φ60滑轨式微型管式炉、低真空系统、四路质子流量供气系统、300W射频电源
STR MTF60-1200S-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ300 

2、1200度60滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 

STR MTF60-1200-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 

3、1200度60双温区滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 

STR MTF601200II-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 

4、1200度60三温区滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 

STR MTF601200III-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 

5、1200度60微型预热炉，1200度60滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 

STR MTF60-1200-150S，STR TF60-1200，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500

实验用小型PECVD系统

开启式真空管式炉

电炉类型：可滑动、开启式管式炉

石英管尺寸: Φ60、80、100mm* L1400mm

加热区尺寸: 300mm

恒温区尺寸: 150mm

设计温度: ≤1200℃

长时间工作温度: ≤1150℃

加热元件: 电阻丝（0Cr27Al7Mo2）

测温元件:k型热电偶

控温精度: ±1℃

控温模式: 采用人工智能调节技术，支持PID控制和自整定功能。可编制30段升降温程序。

升温速率: ≤20℃/min

表面温度: <60℃（1000℃保温）

密封及连接方式: CF、KF、真空波纹管

电功率: AC220V/50Hz/20W

质量混气系统

流量规格: 50sccm-100sccm/200sccm/300sccm/500sccm(可自选量程)

调节阀类型: 电磁调节阀

控制精度: ±0.2%F.S

工作压差范围: (50～300)KPa

混气罐尺寸: Φ80×120mm

真空系统参数

低真空配置: 4L/S机械泵、电阻真空计、真空波纹管、挡板阀

极限真空度: ≤0.1Pa

高真空配置: 4L/S机械泵、300L/S分子泵、复合真空计、真空波纹管、挡板阀

极限真空度: ≤1.3×10^-4Pa

射频电源系统

输出功率: 5-300W或5-500W（可选）

控制模式: 手动/PLC/PC

工作频率: 13.56MHZ标准正弦波

供电电压: 单相交流（190V～240V）

冷却方式: 风冷

小型等离子体气相沉积制备可用于实验室小型反应等离子体沉积实验。