STR RTF120-10 4寸硅片扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。

STR RTF120-10 4寸硅片扩散炉主要技术指标 

1、设备名称：STR RTF120-10 4寸硅片扩散炉

2、炉管直径：￠150 ， 单管

3、炉管材质：高纯石英

4、工艺规格：4寸硅片

5、工作温度：300-1100℃

6、恒温区长度：600mm

7、温区长度：1000mm

8、升温速率：建议＜50℃/分

9、设备功率：10KW

50片4寸硅片的厚度及所需温区长度，根据半导体行业标准，具体参数如下：

1. 硅片厚度

单片厚度：标准4寸（100mm）硅片厚度通常为 525 μm（微米），即 0.525 mm（允许偏差 ±25 μm）

注：也有300 μm、400 μm、500 μm等非标厚度可选，但525 μm是行业通用标准，确保了足够的机械强度和工艺稳定性。

50片总厚度：50 × 0.525 mm = 约 26.3 mm（仅硅片实体厚度，不含间隙）

2. 石英舟装载长度

50片硅片需要放置在石英舟（花篮）中装载，考虑片间间距：

槽间距标准：

标准间距：4.76 mm（约4.8 mm）

密集间距：2.35–2.40 mm（半标准间距，产能可提升一倍）

石英舟长度估算：

使用密集间距（2.4 mm）：49个间隔 × 2.4 mm + 两端余量 ≈ 200–220 mm

使用标准间距（4.8 mm）：总长度约 350–400 mm

标准50槽石英舟长度一般在 200–400 mm 范围内。

3. 所需温区长度

温区长度需确保所有硅片处于温度均匀区域（通常要求±0.5°C以内）。根据扩散炉类型：

具体建议：

最低要求：恒温区长度应 ≥ 400 mm，以确保50片硅片全部处于有效温度区域

工业标准：推荐选择 恒温区 600–800 mm 的设备，这样既能容纳整舟硅片，又能保证良好的温度均匀性（±0.5°C）

高精度工艺：如需要更严格的方阻均匀性（≤3%），建议选择 ≥ 1000 mm 的恒温区

总结：50片4寸硅片本身仅厚约26 mm，装载在石英舟中总长约200–400 mm，所需扩散炉的恒温区长度建议不低于600 mm（卧式炉）或500 mm（立式炉），以确保工艺均匀性和重复性。

扩散是常规太阳能电池工艺中非常重要的步骤，其发电的核心部分-pn结就是在扩散过程中形成的，扩散后硅片的方块电阻是衡量扩散效果好坏的重要指标，所以整个硅片表面的方块电阻的均匀性至关重要，方块电阻直接影响太阳能电池的电性能。

石英舟是用于承载硅片的器具，常规的扩散炉，炉管为石英材质，设计成管状。其内部空间用于插放竖置硅片。