1300度功能性陶瓷真空钎焊炉:高真空炉
High vacuum furnace
1300度功能性陶瓷真空钎焊炉为1300度真空金属炉
钼带加热炉是一种“以宽薄金属钼带作为发热元件”的高温真空/气氛电阻炉,可在 1000–1600 ℃范围内为金属、陶瓷、半导体等材料提供洁净、均匀、可控的加热环境,已广泛用于烧结、退火、钎焊、除气、晶体生长等工艺。
优势与局限
优点:工作温度高、发热均匀、真空/气氛兼容、污染极低、适合高纯材料。
缺点:钼材价格昂贵,炉体初次投资高;钼在高温下易与 C、O2、SiO2 反应,需严格保持真空或还原气氛,对炉膛洁净度及热冲击敏感 。
功能性陶瓷钎焊工艺要点
陶瓷金属化:Al3O3、AlN、Si3N4 等结构陶瓷需先在 1300–1500 ℃氢气炉中完成 Mo-Mn 或 W-Y2O3金属化,再化学镀 4–5 μm Ni 层,提高钎料润湿性与密封可靠性 。
钎料选择:
银铜系 BAg72Cu(Tm 780 ℃)——用于电真空陶瓷-铜封接;
镍基 BNi-2/BNi-5(Tm 980–1100 ℃)——高温工况陶瓷-不锈钢、钛合金接头;
铜基 Cu-Sn-Ti 活性钎料(Tm 910–980 ℃)——直接润湿陶瓷,免金属化步骤。
工艺曲线:以 5–8 ℃ min?1 升温至 50 ℃ above 钎料液相线,保温 5–15 min;降温阶段 ≤10 ℃ min-1 通过 400 ℃ 区间,防止陶瓷因热冲击微裂
主要参数
1、电炉名称:1300度功能性陶瓷真空钎焊炉
2、电炉型号:STR MSF644-13
3、炉型结构:卧式,单室,炉体炉门采用双层水冷,前开门结构。由炉体、加热室、真空系统、充气系统、水冷系统、电控及供电系统组成。
4、极限温度:1300℃
5、工作区尺寸:深600*宽400*高400mm
6、温区尺寸:直径700*深850mm
7、加热功率:50KW
8、加热元件:钼片
9、隔热组件:钼+不锈钢
10、温度测量:N型热电偶
11、加热室:采用圆筒形加热室结构。隔热屏采用多层钼结构,各层之间采用优质99刚玉陶瓷,发热体为钼片,钼片均匀环绕在隔热屏周围,实现良好的温度均匀性。具有使用寿命长、隔热保温性能好、真空放气量极少。外框使用不锈钢(310S)板材料,并且焊接多道加强筋以防止变形。
12、加热控制:采用PID智能控温模块设计,可编辑30段升温曲线,存贮20组工艺配方,组合PLC等实现超压、超温、过流等自动报警保护功能,10寸液晶触摸屏显示操作,具有操作方便,功能强大,稳定性好等特点。
13、控温精度:±1℃
14、设备总功率:65KW
15、电源频率:50Hz
16、电源电压:三相 380 V(±10V)
17、外形尺寸:约宽2600*深2300*高2400mm。
18、占地面积:约9m2
真空系统
1、真空配置:两台复合分子泵FB-1600和一台旋片机械泵BSV-60
2、极限真空:≤6.67*10-4Pa(空载、冷态、经净化);
3、工作真空:≤6.67*10-3Pa
4、真空测量: 复合真空计ZDF5227
测量范围 1.0*105~1.0*10-5Pa
5、真空机组功率:5KW
水冷系统:
真空炉炉体、炉门、真空机组、水冷电极都需要冷却水。该系统由主供水管分配到各冷却部位,采用闭式水循环系统,主管路配备水压报警系统。进水有分支接到自来水管道上,以备停电时紧急使用。
安全系统:
安全系统包括:停水、超温、加热过流、旋片泵、分子泵,设备具有自检、故障自诊断、自动保护、防止误操作等功能。并具有声光报警提示和具备相应的联锁、互锁保护。
结构特点
加热元件
采用 0.8–1.5 mm×50–100 mm 的轧制钼带,绕成弧形或环形贴壁布置,电阻低、截面大,可承载大电流,实现快速升温与大面积辐射加热,炉温均匀性 ±5 ℃以内 。
钼带表面经高温氧化-还原循环后仍保持尺寸稳定,正常寿命 2000–4000 h,明显优于钼丝 。
炉体与隔热
双层不锈钢水冷壳体,前开门或升降式炉盖,壳温 ≤50 ℃;炉膛内衬多层金属反射屏(钼+不锈钢)或 1800 型陶瓷纤维,热损小、升温快,极限真空 ≤6.67×10?? Pa,压升率 ≤1 Pa h?1 。
钼带端部开条形孔,可补偿热膨胀,避免高温松弛;带身压筋提高刚性,减少下垂变形 。
真空与气氛
机械泵+罗茨泵+扩散/分子泵三级机组,10 min 内可抽到工作真空;亦可通入 Ar、H2、N2做保护气氛或轻微加压气淬,适应不同工艺对氧分压的要求 。
电控与程序
多段 PID 可编程控温,升温速率 1–10 ℃ min?1 可调,控温精度 ±1 ℃;触摸屏+PLC 集成超温、断水、过流、缺相报警,支持数据记录与远程监控 。
典型应用
金属材料:钨、钼、钽及其合金的高真空退火与除气,钛合金、高温合金的真空钎焊。
陶瓷/石英:Al2O3、AlN、Si3N4 透明陶瓷烧结,石英玻璃脱羟处理。
半导体:蓝宝石、硅单晶生长,碳化硅晶片高温氧化后退火。
特种工艺:粉末冶金硬质合金烧结、工具钢真空气淬、碳纤维复合材料预氧化等 。
















