SiC陶瓷2000°C烧结工艺
SiC陶瓷2000°C烧结工艺
SiC 陶瓷无压烧结在 2000 °C 的关键是“碳-硅比+助烧剂+升温曲线”。
配方：SiC 粉 92 %，B₄C 0.5 %（助烧），酚醛树脂 2 %（碳源），酚醛裂解碳与 SiO₂ 反应生成 SiC 晶须，填补孔隙。
工艺：真空脱脂 900 ℃×1 h → 充 Ar 0.1 MPa → 2000 ℃×2 h 烧结 → 氩气快冷。
结果：相对密度 98.2 %，抗弯强度 450 MPa，热导率 110 W/m·K。
若采用 2000°C石墨烧结炉，可在 24 h 内完成 100 kg 批次，能耗 1.05 kWh/kg，比传统立式炉节电 15 %。
SiC 陶瓷无压烧结在 2000 °C 的关键是“碳-硅比+助烧剂+升温曲线”。
配方：SiC 粉 92 %，B₄C 0.5 %（助烧），酚醛树脂 2 %（碳源），酚醛裂解碳与 SiO₂ 反应生成 SiC 晶须，填补孔隙。
工艺：真空脱脂 900 ℃×1 h → 充 Ar 0.1 MPa → 2000 ℃×2 h 烧结 → 氩气快冷。
结果：相对密度 98.2 %，抗弯强度 450 MPa，热导率 110 W/m·K。
若采用 2000°C石墨烧结炉，可在 24 h 内完成 100 kg 批次，能耗 1.05 kWh/kg，比传统立式炉节电 15 %。
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