1300度功能性陶瓷真空钎焊炉：高真空炉

High vacuum furnace

1300度功能性陶瓷真空钎焊炉为1300度真空金属炉

钼带加热炉是一种“以宽薄金属钼带作为发热元件”的高温真空/气氛电阻炉，可在 1000–1600 ℃范围内为金属、陶瓷、半导体等材料提供洁净、均匀、可控的加热环境，已广泛用于烧结、退火、钎焊、除气、晶体生长等工艺。

优势与局限

优点：工作温度高、发热均匀、真空/气氛兼容、污染极低、适合高纯材料。

缺点：钼材价格昂贵，炉体初次投资高；钼在高温下易与 C、O2、SiO2 反应，需严格保持真空或还原气氛，对炉膛洁净度及热冲击敏感 。

功能性陶瓷钎焊工艺要点

陶瓷金属化：Al3O3、AlN、Si3N4 等结构陶瓷需先在 1300–1500 ℃氢气炉中完成 Mo-Mn 或 W-Y2O3金属化，再化学镀 4–5 μm Ni 层，提高钎料润湿性与密封可靠性 。

钎料选择：

银铜系 BAg72Cu（Tm 780 ℃）——用于电真空陶瓷-铜封接；

镍基 BNi-2/BNi-5（Tm 980–1100 ℃）——高温工况陶瓷-不锈钢、钛合金接头；

铜基 Cu-Sn-Ti 活性钎料（Tm 910–980 ℃）——直接润湿陶瓷，免金属化步骤。

工艺曲线：以 5–8 ℃ min?1 升温至 50 ℃ above 钎料液相线，保温 5–15 min；降温阶段 ≤10 ℃ min-1 通过 400 ℃ 区间，防止陶瓷因热冲击微裂 

主要参数

1、电炉名称：1300度功能性陶瓷真空钎焊炉

2、电炉型号：STR MSF644-13

3、炉型结构：卧式，单室，炉体炉门采用双层水冷，前开门结构。由炉体、加热室、真空系统、充气系统、水冷系统、电控及供电系统组成。

4、极限温度：1300℃

5、工作区尺寸：深600*宽400*高400mm

6、温区尺寸：直径700*深850mm

7、加热功率：50KW

8、加热元件：钼片

9、隔热组件：钼+不锈钢

10、温度测量：N型热电偶

11、加热室：采用圆筒形加热室结构。隔热屏采用多层钼结构，各层之间采用优质99刚玉陶瓷，发热体为钼片，钼片均匀环绕在隔热屏周围，实现良好的温度均匀性。具有使用寿命长、隔热保温性能好、真空放气量极少。外框使用不锈钢（310S）板材料，并且焊接多道加强筋以防止变形。

12、加热控制：采用PID智能控温模块设计，可编辑30段升温曲线，存贮20组工艺配方，组合PLC等实现超压、超温、过流等自动报警保护功能，10寸液晶触摸屏显示操作，具有操作方便，功能强大，稳定性好等特点。

13、控温精度：±1℃

14、设备总功率：65KW

15、电源频率：50Hz

16、电源电压：三相 380 V（±10V）

17、外形尺寸：约宽2600*深2300*高2400mm。

18、占地面积：约9m2   

真空系统

1、真空配置：两台复合分子泵FB-1600和一台旋片机械泵BSV-60

2、极限真空：≤6.67*10-4Pa（空载、冷态、经净化）；

3、工作真空：≤6.67*10-3Pa

4、真空测量： 复合真空计ZDF5227

测量范围 1.0*105~1.0*10-5Pa

5、真空机组功率：5KW

水冷系统：

真空炉炉体、炉门、真空机组、水冷电极都需要冷却水。该系统由主供水管分配到各冷却部位，采用闭式水循环系统，主管路配备水压报警系统。进水有分支接到自来水管道上，以备停电时紧急使用。

安全系统：

安全系统包括：停水、超温、加热过流、旋片泵、分子泵，设备具有自检、故障自诊断、自动保护、防止误操作等功能。并具有声光报警提示和具备相应的联锁、互锁保护。

结构特点

加热元件

采用 0.8–1.5 mm×50–100 mm 的轧制钼带，绕成弧形或环形贴壁布置，电阻低、截面大，可承载大电流，实现快速升温与大面积辐射加热，炉温均匀性 ±5 ℃以内 。

钼带表面经高温氧化-还原循环后仍保持尺寸稳定，正常寿命 2000–4000 h，明显优于钼丝 。

炉体与隔热

双层不锈钢水冷壳体，前开门或升降式炉盖，壳温 ≤50 ℃；炉膛内衬多层金属反射屏（钼+不锈钢）或 1800 型陶瓷纤维，热损小、升温快，极限真空 ≤6.67×10?? Pa，压升率 ≤1 Pa h?1 。

钼带端部开条形孔，可补偿热膨胀，避免高温松弛；带身压筋提高刚性，减少下垂变形 。

真空与气氛

机械泵+罗茨泵+扩散/分子泵三级机组，10 min 内可抽到工作真空；亦可通入 Ar、H2、N2做保护气氛或轻微加压气淬，适应不同工艺对氧分压的要求 。

电控与程序

多段 PID 可编程控温，升温速率 1–10 ℃ min?1 可调，控温精度 ±1 ℃；触摸屏+PLC 集成超温、断水、过流、缺相报警，支持数据记录与远程监控 。

典型应用

金属材料：钨、钼、钽及其合金的高真空退火与除气，钛合金、高温合金的真空钎焊。

陶瓷/石英：Al2O3、AlN、Si3N4 透明陶瓷烧结，石英玻璃脱羟处理。

半导体：蓝宝石、硅单晶生长，碳化硅晶片高温氧化后退火。

特种工艺：粉末冶金硬质合金烧结、工具钢真空气淬、碳纤维复合材料预氧化等 。